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成果名称:高性能第四代DRAM存储器

标       签:第四代DRAM存储器存储器 | 高宽温 | 高可靠 | 高位宽 | 多接口 | “即...应用场景:移动主控、CPU、存储器、移动终端、大数据和云计算等
  • 成果水平:国际先进
  • 应用阶段:可以量产
  • 创新形式:新产品
  • 合作方式:技术转让 独家授权 技术入股
  • 成果属性:原始创新
  • 交易状态:未交易
  • 所  在  地:广东省
  • 价       格:面议
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储器是存储器是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品,被誉为电子工业的“粮食”。中国是存储器的消费大国,消费了全球50%以上的存储器产能,基本全部依赖进口,对国内信息产业安全是一个巨大的潜在风险,技术支持欠缺。随着国内云计算、大数据、移动终端和智能制造的快速发展,第四代接口(DDR4和LPDDR4) DRAM存储器逐步成为市场主流应用。本项目瞄准整机和系统的这种发展和升级趋势,开发具有内嵌自检测修复功能的第四代DRAM存储器,完成高可靠DRAM存储器产品系列的升级换代。
项目建设完备的第四代DRAM存储器设计、测试、系统级验证等软硬件平台,构建第四代DRAM存储器研发和产业化产业链。研发符合JEDEC国际标准的具有内嵌自检测修复(ECC),功能的第四代DRAM存储器系列产品。内嵌自检测修复(ECC)DRAM芯片产品由西安紫光国芯历时数年开发,具有完全自主知识产权,该产品创新性的将自检测修复(ECC)技术内嵌到存储器芯片片内,是全球首系列商用的内嵌自检测修复(ECC)技术DRAM存储器产品。己量产销售产品接口覆盖SDR、DDR、DDR2和DDR3和LPDDR,支持-55℃至125℃的超宽温应用需求,具有高宽温、高可靠、高位宽、多接口等特点,与传统JEDEC标准DRAM压芯片产品“即插即用”式兼容。紫光国芯攻克了多项在DRAM中内嵌自检测修复功能的难题,申请国内外专利多项,并且已经在产品中实现了批量应用。基于已有的技术储备,本项目完成具有内检测自修复的第四代DRAM存储器系列产品的研发:
采用先进的25nm或更先进的DRAM工艺,开发DRAM产品容量8Gbit和4Gbit,接口覆盖x8、x16和x32,数据速率1866-3200MHz,双供电电压分别不高于1.2V和2.5V。
集成自有内嵌检测修复(ECC)技术,实现循环冗余码校验、温度控制刷新周期、读写时序自动校准、多种自刷新模式、免疫功能和提高可靠性支持封装后再修复功能、、数据/指令/地址基准电压校准和指令奇偶校验等高速、高可靠、低功耗技术。
形成存储器应用工程中心,支持基于国产CPU及主控芯片整机系统的开发及量产
与国际大厂产品完全兼容,直接替代,同时与“核高基”专项已经支持完成产业化的第二代和第三代《DDR2和DDR3) DRAM存储器形成完整系列产品,实现国产化替代。
十二五期间,成果方作为研发主体在“核高基”专项的支持下分别完成了第二代和第三代DRAM压芯片的研发和产业化。2010年1月至2011年12月,成果方作为研发主体完成了“核高基”专项支持的第二代DRAM-“大容量低功耗DRAM芯片研发”项目,截止目前,大容量DDR2 DRAM芯片已实现销售超过1500万颗。2013年1月至2015年12月,紫光国芯作为研发主体完成了“核高基”专项支持的第三代DRAM -“DDR3动态随机存储器产品研发及产业化”项目,截止目前大容量DDR3DRAM芯片累计形成1000万颗DRAM芯片的规模应用。本项目与第二代DRAM-。“大容量低功耗DRAM芯片研发”项目和第三代DRAM-“DDR3动态随机存储器产品研发及产业化”项目成果形成完整系列产品,满足国内信息产业的多元化应用需求,特别是信息安全的可信计算机的需求,实现国产化替代。
在项目的实施过程中己累计申请发明专利118项,获得美国发明专利2项,国内授权发明专利26项。本项目所开发的DDR4和LPDDR4 DRAM围绕国內移动主控、国产CPU芯片和整机厂商的需求,提供可配置的存储器产品,并进行产业化应用,填补我国第四代接口DRAM产品的空白,替代进口产品,支持国产化需要,保障信息产业安全。通过与国内移动主控、国内CPU和整机方案技术互动,形成联合竞争优势,促进国产移动主控、CPU、存储器、移动终端、大数据和云计算等相关产业加快发展,助力国家智能制造和工业强基工程。

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